PMV45EN2R 与 BSR302N L6327 区别
| 型号 | PMV45EN2R | BSR302N L6327 |
|---|---|---|
| 吃瓜编号 | A-PMV45EN2R | A-BSR302N L6327 |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 吃瓜自营 | 吃瓜自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 5000 mW 6.3 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.3mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 23mΩ |
| 上升时间 | - | 3.2ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 4.4nC |
| 标准包装数量 | - | 3000 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 10V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 12S |
| 封装/外壳 | SOT23 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 5.1A | 3.7A |
| 配置 | - | Single |
| 标准断开延迟时间 | - | 16.2 ns |
| 输入电容 | 209pF | - |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 下降时间 | - | 3.2 ns |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.51W | 500mW(1/2W) |
| 输出电容 | 50pF | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 16.2ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | BSR302 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 42mΩ@4.1A,10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 6.8ns |
| 500 mW | - | Pd - 功率消耗 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV45EN2R | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMN3051L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 700mW(Ta) 38mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSR302N L6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
30V 3.7A 23mΩ 10V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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